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百灵威科技有限公司 |
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中文名称:磷化铟 英文名称:IndiuM phosphide (99.999%-In) PURATREM CAS:22398-80-7 纯度:99.999% 包装信息:1g,5g 备注:化学试剂、精细化学品、医药中间体、材料中间体 |
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上海迈瑞尔化学技术有限公司 |
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英文名称:INDIUM PHOSPHIDE WAFER CAS:22398-80-7 纯度:99.99% 包装信息:Each 备注:W-INP-51-0.3 |
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武汉易泰科技有限公司上海分公司 |
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86-21-50328103 * 801、802、803、804 Mobile:18930552037 |
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中文名称:磷化铟 英文名称:INDIUM PHOSPHIDE CAS:22398-80-7 纯度:99% HPLC 包装信息:1Mg ; 5Mg;10Mg ;100Mg;250Mg ;500Mg ;1g;2.5g ;5g ;10g |
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阿法埃莎(中国)化学有限公司 |
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中文名称:磷化铟(III), 多晶块, 99.99% (metals basis) 英文名称:IndiuM(III) phosphide, polycrystalline luMp, 99.99% (Metals basis) CAS:22398-80-7 包装信息:1g 备注:A15509 |
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安耐吉化学(Energy Chemical) |
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中文名称:磷化铟 英文名称:INDIUM PHOSPHIDE CAS:22398-80-7 纯度:99.9999%(Metalsbasis) 包装信息:1g,5g 备注:国产化学试剂、精细化学品、医药中间体、材料中间体 |
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熔点 | 1070°C | 密度 | 4,787 g/cm3 | form | pieces
| Merck | 14,4953 |
化学性质 | 具有沥青光泽的深灰色晶体。熔点1070℃。熔点下离解压为2.75 Mpa。极微溶于无机酸。介电常数:10.8。电子迁移率:约4600 cm2/V?s。空穴迁移率:约150 cm2/V?s。具有半导体的特性。 | 用途 | 用作半导体材料,用于光纤通讯技术,需要1.1~1.6μm范围内的光源和接受器。在 InP衬底上生长In-GaAsP双异质结激光器既能满足晶格匹配,又能满足波长范围的要求。 | 生产方法 | 用高压单晶炉制备磷化铟单晶是最主要的方法,并用掺等电子杂质的方法降低晶体的位错密度。而气相外延,多采用In-PCl3-H2系统的歧化法,在该工艺中用铟(99.9999%)和三氯化磷(99.999%)之间的反应来生长磷化铟层。 气相外延将石英反应管放在双温区电炉中,已净化的高纯氢气经计量通入,氢气也用来稀释三氯化磷,此时彭泡器保持在0℃,通过反应管内的氢气线速度为14 cm/min。外延生长分为诱个阶段进行。 在第一阶段,将盛有铟的石英舟放在电炉中源区,通入氢气并加热到700~850℃,再用氢气将三氯化磷引入,在铟源上方被还原成磷蒸气和氯化氢。镉化氢与铟反应生成一氯化铟蒸气在管中迁移。磷溶解在铟中直至饱和为止。 在第二阶段,铟源保持在原位置不加热,单晶衬底放在电炉的第二加温区后,在氢气氛下加热到600~750℃。首先用氢气将三氯化磷引入到管内对衬底进行气相腐蚀,清洗衬底表面。再将氢气直接引入反应管,并把源加热到它的过饱和温度(在操作中此温度比衬底晶体的温度高100℃)。然后通过氢气鼓泡将三氯化磷引入,这时磷蒸气与在源区生成的一氯化铟反应,在衬底上淀积生长出磷化铟层。当外延生长完成后,向系统中通入纯氢气,将两个温区冷却到室温,取出产物,制得磷化铟成品。 | 类别 | 有毒物品 | 可燃性危险特性 | 高热产生有毒磷氧化物烟雾 | 储运特性 | 库房通风低温干燥 | 灭火剂 | 干粉、泡沫、砂土、二氧化碳, 雾状水 | 职业标准 | TWA 0.1 毫克 (铟)/立方米 |
危险品标志 | T | 安全说明 | 24/25-45-53 | 危险品运输编号 | 3288 | WGK Germany | 3
| RTECS号 | NL1800000
| TSCA | Yes |
更新日期 | 产品编号 | 产品名称 | CAS编号 | 包装 | 价格 | 2010/05/25 | 13974 | 磷化铟, 99.9999% (metals basis)
Indium(III) phosphide, 99.9999% (metals basis) | 22398-80-7 | 1g | 2338元 | | 2010/05/25 | 36283 | 磷化铟, 99.999% (metals basis)
Indium(III) phosphide, 99.999% (metals basis) | 22398-80-7 | 5g | 12796元 | |
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